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當前頁面: 首頁 應用 半導體器件
MOSFET器件CV特性測試分析
日期:2022-10-24 09:02:43


寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現出來的電容特性。在高頻情況下,不管是電阻,電容,電感,還是二極管,三極管,MOS管所產生的等效電容會增大,不能忽略。MOS管寄生電容是動態參數,直接影響到其開關性能,Ciss輸入電容、Coss輸出電容、Crss反向傳輸電容、Rg柵極串聯等效電阻是功率半導體重要的寄生參數,在研發和制造過程中都需要進行測量。

具體方案

測試要求:

Ciss輸入電容 :將漏源短接,用交流信號測得的柵極和源極之間的電容就是輸入電容

Coss輸出電容:將柵源短接,用交流信號測得的漏極和源極之間的電容就是輸出電容

Crss反向傳輸電容:在源極接地的情況下,測得的漏極和柵極之間的電容為反向傳輸電容

Rg :測試柵極與源極之間的串聯等效電阻

目前市場上比較常見的半導體CV特性測試方案,需要至少一臺電橋、一臺電源、一個直流偏置夾具、一套矩陣開關和一臺上位機以及相關控制軟件組成,搭建和調試過程非常繁瑣,且測試效果不穩定。

TH510系列半導體C-V特性分析儀是同惠電子針對半導體材料及器件生產與研發的分析儀器,采用了一體化的設計,四檔參數同時顯示,只需一臺儀器即可滿足生產線快速分選、自動化集成測試及滿足實驗室研發及分析。TH510系列內置1500V高壓源,測試精度高;可擴展至6通道,對于IGBT行業的模塊化測試需求來說非常重要。

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